利好来袭!半导体板块全线爆发,多股获超200家机构调研
9月24日,A股半导体板块强势拉升,成为市场最耀眼的明星板块,半导体设备、材料概念股集体大涨。截至收盘,Wind半导体设备指数涨6.26%,半导体材料指数涨5.89%,个股方面,长川科技、神工股份、江丰电子、北方华创等多股涨停,华海清科、京仪装备、南大光电、安集科技等涨超10%。
多重利好因素集中释放
这一波行情的爆发,主要源于多重利好因素的集中释放。
具体来看,9月24日,阿里巴巴集团CEO、阿里云智能集团董事长兼CEO吴泳铭在云栖大会上表示,阿里正在积极推进三年3800亿的AI基础设施建设计划,并将会持续追加更大的投入。从现在的AI行业远期发展以及客户需求角度来看,为了迎接ASI(超级人工智能)时代的到来,对比2022年这个GenAI的元年,2032年阿里云全球数据中心的能耗规模将提升10倍。这意味着阿里云算力投入将指数级提升。
另外,近期,在供应紧张和需求激增的背景下,全球存储芯片巨头纷纷对产品价格进行调整,掀起新一轮涨价潮。例如,美光科技宣布其存储产品价格上涨20%-30%;闪迪(Sandisk)继4月全系涨价10%之后,再次宣布针对全部渠道通路和消费类产品的价格执行10%的普涨;三星也大幅上调内存和闪存产品价格,DRAM产品涨幅高达30%,NAND闪存价格上涨5-10%。另外,市场传闻SK海力士也正在与客户就价格调整进行谈判。
且据券商中国报道,半导体硅片价格有望在四季度大幅上涨,AI芯片带动巨大增量需求之外,非AI族群强势复苏,具体包括:通用服务器2025年增长20%;成熟制程方面,台积电、联电2025第四季度稼动率持平,中芯国际2025年下半年增长未放缓,表现超预期。
除此之外,近日,高盛将中芯国际H股12个月目标价从73.1港元上调至83.5港元,并表示,中国AI芯片的长期需求增长前景将更加明朗,这将使中芯国际等领先的国内代工厂受益。受中国云服务提供商增加资本支出预算以及人工智能终端应用日益丰富的推动,中国对人工智能芯片的需求将不断增长。
值得关注的是,半导体设备国产替代进程的加速,也使得市场对国产设备的预期持续向好。华泰证券表示,展望2025年,看好中国设备企业和客户在先进工艺逻辑、HBM、3D NAND等高性能存储芯片上,和客户共同研发,实现技术突破。晶圆厂海外设备大规模采购或告一段落,看好2025年国产设备配套需求和国内设备零部件材料公司维保需求的机会。该机构预计,2026年全球半导体设备收入将同比增长8%至1530亿美元,其中中国市场规模490亿美元,同比接近持平,2026E中国本土设备企业在中国市场规模中占比(国产化率)或同比+6pct至29%。
东吴证券也指出,国内先进制程积极扩产,加之算力芯片要求先进封装,均利好设备商,该机构认为国产算力有望均向盛合晶微等国产先进封装供应链倾斜,减薄机/划片机/键合机等设备商有望受益。
相关概念股年内获机构密集调研
Wind数据显示,2025年以来,半导体设备、材料板块上市公司获机构密集调研,深南电路、晶盛机电、中微公司、精智达、安集科技、芯源微、拓荆科技、广钢气体、多氟多、金宏气体十家公司均接待超200家机构。其中,深南电路和晶盛机电最受青睐,年内分别获562和438家机构调研。
深南电路专注于电子互联领域,拥有印制电路板、电子装联、封装基板三项主营业务,覆盖1级到3级封装产业链环节,具备提供“样品→中小批量→大批量”的综合制造能力。2025年上半年,在AI算力升级、存储市场回暖和汽车电动智能化三大增长机遇下,公司实现营业总收入104.53亿元,同比增长25.63%;归属于上市公司股东的净利润13.60亿元,同比增长37.75%。
晶盛机电则具备先进材料和先进装备双“引擎”,构建起了半导体装备、材料、耗材及精密零部件协同发展的平台型产业生态,主营业务产品涉及半导体装备、半导体衬底材料以及半导体耗材及零部件领域。
在半导体集成电路装备领域,晶盛机电实现了半导体8-12英寸大硅片设备的国产化;在化合物半导体装备领域,实现了关键检测装备国产化替代;在半导体衬底材料领域,拥有碳化硅衬底材料、蓝宝石衬底材料及培育金刚石的规模化产能,8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列,并突破了12英寸碳化硅晶体生长技术;在半导体耗材领域,实现了半导体石英坩埚的国产替代,并成功突破大尺寸半导体合成砂石英坩埚技术瓶颈。
技术突破和产品交付消息频传
2025年以来,国产半导体设备、材料领域不断传出技术突破和产品交付消息。
例如,9月8日,盛美上海宣布推出首款KrF工艺前道涂胶显影设备Ultra Lith KrF,旨在支持半导体前端制造。该系统的问世标志着盛美上海光刻产品系列的重要扩充,具有高产能、先进温控技术以及实时工艺控制和监测功能,首台设备系统已于9月交付中国头部逻辑晶圆厂客户。
9月18日,盛美上海又宣布,推出首款专为宽禁带化合物半导体制造而设计的Ultra ECDP电化学去镀设备。新设备专为在晶圆图形区域外进行电化学晶圆级金(Au)蚀刻而设计,可实现更高的均匀性、更小的侧蚀和增强的金线外观。
9月17日,先为科技也宣布,其自主研发的EliteMO系列常压型GaN MOCVD设备正式发货,交付国内某头部化合物半导体晶圆厂。据了解,EliteMO系列金属有机化学气相沉积外延设备,具备广泛的应用覆盖与领先的工艺性能,可实现多区电阻加热,具备优异的温度均匀性,可提供多元多组分、n/p型等多种材料外延生长解决方案,赋能先进材料的外延研发与制造。
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